电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
BC849 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   BC849
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   229 K    
页数 : 1 页
Logo:   
品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
购买 :   
   
PDF原版 中文翻译版  
100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
BC848
BC849
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为开关和AF放大器放大
适用于自动插入在厚和薄膜
电路。
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
o
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
2
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
C)
等级
30
30
5
100
225
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.051(1.30)
.035(0.90)
.026(0.65)
.010(0.25)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
.045(1.15)
.034(0.85)
符号
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
(1)
30
30
5
-
-
-
-
-
0.58
110
200
100
-
-
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
0.2
0.7
0.9
-
-
-
-
3.5
-
-
最大
-
-
-
15
0.25
0.6
-
-
0.7
800
800
-
6
10
4
单位
V
V
V
nA
V
V
V
V
V
-
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 200μA中,f = 1KHz的,
R
S
= 2KΩ , B = 200Hz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿Volatge
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
噪声系数
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
BC848
(1)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
BE(上)
BC848
BC849
h
FE
f
T
C
ob
BC849
380μs ,占空比
NF
分类h及
FE
范围
A
110~220
B
200~450
C
420~800
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7