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TMM110-06-F-D-RA  TMM110-02-L-Q  TMM110-02-T  TMM110-04-L  TMM110-06-T-RA  TMM110-02-S-Q  TMM110-06-T-S  TMM110-06-F-D  TMM110-06-L-D-RC  TMM110-05-S-D  
BD237D 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   BD237D
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   218 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
BD237D
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为中等功率线性和开关
应用程序。
TO-126ML
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.148(3.75)
.138(3.50)
.163(4.12)
.153(3.87)
.044(1.12)
.034(0.87)
.060(1.52)
.050(1.27)
.146(3.70)
.136(3.44)
.123(3.12)
.113(2.87)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(峰值)
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
.300(7.62)
.290(7.37)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
100
80
5
2
6
25
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
.180
典型值
(4.56)
.591(15.0)
.551(14.0)
1 2 3
.084(2.12)
.074(1.87)
.056(1.42)
.046(1.17)
.033(0.84)
.027(0.68)
.084(2.14)
.074(1.88)
.027(0.69)
.017(0.43)
.090
典型值
(2.28)
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
100
80
5
-
-
-
-
40
25
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
1
0.6
1.3
-
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
-
-
I
C
=1mA
测试条件
I
C
=100mA
I
E
=100µA
V
CB
=100V
V
EB
=5V
I
C
= 1A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,V
CE
=2V
I
C
= 150毫安,V
CE
=2V
I
C
= 1A ,V
CE
=2V
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
兆赫我
C
= 250毫安,V
CE
= 10V , F = 100MHz的
380μs ,占空比
2%
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