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BR810 单相硅桥式整流器技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER)
.型号:   BR810
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描述: 单相硅桥式整流器技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
文件大小 :   385 K    
页数 : 2 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
BR805
THRU
BR810
整流器SPECIALISTS
技术规格
单相硅桥式整流器
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 8.0安培
特点
*浪涌过载额定值125安培峰值
*低正向压降
BR-8/10
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*铅: MIL- STD- 202方法208保证
*极性:符号模压或标记体
*安装位置:任意
*重量: 6.9克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
o
最大正向平均整流输出电流在Tc = 50℃
BR805
50
35
50
BR81
100
70
100
BR82
200
140
200
BR84
400
280
400
8.0
125
1.1
10
BR86
600
420
600
BR88
800
560
800
BR810
1000
700
1000
单位
安培
安培
uAmps
A
2
美国证券交易委员会
pF
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
每件最大正向电压降在4.0A DC
最大DC反向电流在额定
每个元素阻断电压DC
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型结电容(注1)
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
注: 1.Measured在1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
@T
A
= 25 C
@T
C
= 100 C
o
I
R
I
2
t
C
J
RθJ一
T
J
T
英镑
500
166
200
21
-55〜 + 125
-55到+ 150
C / W
0
0
C
C
2.热阻结到环境,并从交界处领导安装在PCB用0.5× 0.5" ( 13x13mm )铜焊盘。
236
出口
EXI
NEXT
出口
NEXT
NEXT
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