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BU407 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   BU407
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   195 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
BU407
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
在电视的水平输出设计用于和
开关应用。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.625(15.87)
.570(14.48)
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
o
C)
等级
150
6
7
4
60
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
o
o
.350(8.90)
.330(8.38)
1 2 3
.640
典型值
(16.25)
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
首席执行官
I
CES
I
EBO
(1)
150
-
-
-
-
25
35
10
10
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
5
1
1
1.2
-
200
-
-
单位
V
mA
mA
V
V
-
-
-
兆赫
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CE
=400V
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 0.5A ,V
CE
=5V
I
C
= 2A ,V
CE
=5V
I
C
= 2A ,V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ,V
CE
= 10V , F = 1MHz的
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
(1)
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
h
FE3
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
f
T
380μs ,占空比2 %
分类h及
FE2
范围
B
35~85
C
75~125
D
115~200
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