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CDZ55C2V0S 硅平面功率齐纳二极管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES)
.型号:   CDZ55C2V0S
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描述: 硅平面功率齐纳二极管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
CDZ55C2V0S
THRU
CDZ55C36S
整流器SPECIALISTS
技术规格
硅平面功率齐纳二极管
特点
*电压范围: 2.0V至36V
*也可用不同的维度包括:
1206C ( CDZ55Cxx系列)
0603C ( CDZ55CxxT系列)
.086(2.20)
.071(1.80)
.057(1.45)
.041(1.05)
0805C
机械数据
*案例: 0805C
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*码头:焊接镀,每焊
MIL- STD- 202E ,方法208保证
*安装位置:任意
*重量: 0.006克约。
.026(.65)
.010(.25)
.037(.95)
.029(.75)
.048(1.22) .020(.51)
.055(1.40)
贴装焊盘布局
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
符号
齐纳电流见表"Characterisitics"
在环境温度Tamb功耗= 25
o
C
结温
存储温度范围
P合计
Tj
TSTG
价值
500
(1)
175
-5 5〜 + 175
单位
mW
o
o
C
C
K /毫瓦
热阻
结到环境空气
RthA
-
-
0.3
(1)
典型值。
分钟。
马克斯。
正向电压
在IF = 200毫安
V
F
-
-
1.5
典型值。
分钟。
马克斯。
1 )有效但引线被保持在环境温度下进行。
注:标准齐纳电压容差± 5 %
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