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DB105 单相硅桥式整流器技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER)
.型号:   DB105
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描述: 单相硅桥式整流器技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
文件大小 :   377 K    
页数 : 2 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
DB101
THRU
DB107
整流器SPECIALISTS
技术规格
单相硅桥式整流器
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 1.0安培
特点
*
*
*
*
*
适合自动化插入
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低成本建设
玻璃钝化结
DB-1
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*铅: MIL - STD- 202E ,方法208保证
*极性:符号模压或标记体
*安装位置:任意
*重量: 0.4克
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
o
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
每件最大正向电压降在1.0A DC
最大DC反向电流在额定
每个元素阻断电压DC
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型结电容(注1)
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注: 1.Measured在1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
@T
A
= 25 C
@T
A
= 125 C
I
2
t
C
J
RθJ一
T
Ĵ , TSTG
o
o
o
DB101
50
35
50
DB102
100
70
100
DB103
200
140
200
DB104
400
280
400
1.0
50
1.1
10
500
10
25
40
-65到+ 150
DB105
600
420
600
DB106
800
560
800
DB107
1000
700
1000
单位
安培
安培
uAmps
A
2
美国证券交易委员会
pF
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
C / W
0
C
2.热阻结到环境,并从交界处领导安装在PCB用0.5× 0.5" ( 13x13mm )铜焊盘。
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