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2SK208GR  2SK2080-01  2SK2052R  2SK2073  2SK1973  2SK2145GR  2SK2013O  2SK216K  2SK208R  2SK211O  
DC9013 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   DC9013
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   216 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
DC9013
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
设计用于便携式1W的输出放大器使用
redios在B类推挽操作。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
40
20
5
500
100
625
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
o
3 2 1
.050
典型值
(1.27)
符号
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
40
20
5
-
-
-
-
-
64
40
100
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
120
-
-
-
最大
-
-
-
100
100
0.6
1.2
0.9
300
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 25V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 10毫安,V
CE
=1V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
= 500毫安,V
CE
=1V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
380μs ,占空比
分类h及
FE1
范围
D
64~91
E
78~112
F
96~135
G
112~166
H
144~202
I
176~300
I1
176~246
I2
214~300
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