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BZX84C2V4T - BZX84C39T
为150mW表面贴装稳压二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
超小型表面贴装封装
平面模具结构
无铅/符合RoHS (注2 )
"Green"设备(注3,4)
机械数据
案例: SOT- 523
外壳材料:模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
极性:见图
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.002克(近似值)
新产品
顶视图
设备原理图
最大额定值
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
@ I
F
= 10毫安
V
F
价值
0.9
单位
V
特征
热特性
特征
功耗
热阻,结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项:
1.
2.
3.
4.
符号
(注1 )
(注1 )
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
150
833
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
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文件编号: DS30262牧师10 - 2
1 4
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2008年5月
© Diodes公司
BZX84C2V4T - BZX84C39T
电气特性
TYPE
记号
CODE
喃( V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30.0
33.0
36.0
39.0
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
范围(注5)
V
ž @ IZT
敏( V)
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
MAX( V)
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大齐纳阻抗
(注6 )
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
I
ZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
反向电流
(注5 )
I
R
uA
50
20
20
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
@ I
ZT
= 5毫安
(毫伏/ ° C)
最大
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0.2
-2.7
1.2
-2.0
2.5
0.4
3.7
1.2
4.5
2.5
5.3
3.2
6.2
3.8
7.0
4.5
8.0
5.4
9.0
6.0
10.0
7.0
11.0
9.2
13.0
10.4
14.0
12.4
16.0
14.4
18.0
16.4
20.0
18.4
22.0
21.4
25.3
24.4
29.4
27.4
33.4
30.4
37.4
33.4
41.2
新产品
BZX84C2V4T
BZX84C2V7T
BZX84C3V0T
BZX84C3V3T
BZX84C3V6T
BZX84C3V9T
BZX84C4V3T
BZX84C4V7T
BZX84C5V1T
BZX84C5V6T
BZX84C6V2T
BZX84C6V8T
BZX84C7V5T
BZX84C8V2T
BZX84C9V1T
BZX84C10T
BZX84C11T
BZX84C12T
BZX84C13T
BZX84C15T
BZX84C16T
BZX84C18T
BZX84C20T
BZX84C22T
BZX84C24T
BZX84C27T
BZX84C30T
BZX84C33T
BZX84C36T
BZX84C39T
注意事项:
RB
RC
RD
RE
RF
RG
RH
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
PA
PB
PC
PD
PE
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
6, F = 1kHz的。
250
50
P
D
,功耗(毫瓦)
200
I
Z
,齐纳电流(毫安)
40
150
30
100
20
50
10
0
0
100
T
A
,环境温度,℃
图。 1.功率降额曲线
200
0
0
3
4
5
6
8
9 10
7
V
Z
齐纳电压(V)
图。 2典型的齐纳击穿特性
1
2
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30
T
J
= 25°C
C10
C12
1,000
20
C15
新产品
C
T
,总电容(PF )
I
Z
,齐纳电流(毫安)
C18
100
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C39
C36
0
10
0
10
20
30
40
V
Z
齐纳电压(V)
图。 3.典型的齐纳击穿特性
10
100
V
Z
,额定齐纳电压( V)
图。 4.典型的总电容量与标称齐纳电压
1
订购信息
产品型号
(类型号)-7 -F *
(注7 )
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
*添加“ -7 - F”到相应型号的电气特性表第2页例如: 6.2V稳压= BZX84C6V2T - 7 -F 。
注意事项:
7.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX =产品型号标识代码
(请参阅电气特性表)
YM =日期代码标
Y =年(例如: N = 2002)
M =月(例如: 9 =九月)
xxx
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
2006
T
五月
5
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2111
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
G
H
K
N
J
M
D
L
SOT-523
暗淡
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
α
尺寸:mm
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BZX84C2V4T - BZX84C39T
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
新产品
X
E
尺寸值(单位:mm)
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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BZX84C8V2-T1

Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3
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BZX84C8V2-T1

Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.098%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, SOT-23, 3 PIN
0 RECTRON

BZX84C8V2-T1-LF

Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
0 WTE

BZX84C8V2T-7-F

150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
14 DIODES

BZX84C8V2TA

Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional
0 ZETEX

BZX84C8V2TC

Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional
0 DIODES