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DDA124EH-7 PNP预偏置小信号SOT- 563双表面贴装晶体管 (PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR)
.型号:   DDA124EH-7
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描述: PNP预偏置小信号SOT- 563双表面贴装晶体管
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
文件大小 :   76 K    
页数 : 4 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
-50
-50
-5
¾
¾
¾
100
¾
典型值
¾
¾
¾
¾
¾
¾
250
250
-0.5
-0.5
-0.5
-0.3
-0.5
-0.5
最大
¾
¾
¾
-0.5
-0.5
-0.3
600
¾
典型值
-1.1
-1.1
-1.1
--
--
-1.1
-1.9
-1.9
-1.9
--
--
-1.9
单位
V
V
V
mA
mA
V
¾
兆赫
最大
单位
测试条件
I
C
= -50mA
I
C
= -1mA
I
E
= -50mA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C
/I
B
= -2.5mA / -0.25mA
I
C
/I
B
= -1mA / -0.1mA
DDA143TH
DDA114TH
新产品
特性( DDA143TH & DDA114TH只)
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
特征
DDA124EH
DDA144EH
DDA143EH
DDA114YH
DDA123JH
DDA114EH
DDA124EH
DDA144EH
DDA143EH
DDA114YH
DDA123JH
DDA114EH
DDA124EH
DDA144EH
DDA143EH
DDA114YH
DDA123JH
DDA114EH
DDA124EH
DDA144EH
DDA143EH
DDA114YH
DDA123JH
DDA114EH
DDA124EH
DDA144EH
DDA143EH
DDA114YH
DDA123JH
DDA114EH
I
C
= -1mA ,V
CE
= -5V
V
CE
= -10V ,我
E
= 5毫安中,f = 100MHz的
测试条件
符号
V
L(关闭)
¾
V
V
CC
= -5V ,我
O
= -100mA
输入电压
V
L(上)
¾
-3.0
-3.0
-3.0
-1.4
-1.1
-3.0
V
O
= -0.3V ,我
O
= -5mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -2mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -1mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -5mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -10mA
I
O
/I
l
= -10mA / -0.5mA
I
O
/I
l
= -10mA / -0.5mA
I
O
/I
l
= -10mA / -0.5mA
I
O
/I
l
= -5mA / -0.25mA
I
O
/I
l
= -5mA / -0.25mA
I
O
/I
l
= -10mA / -0.5mA
输出电压
V
O(上)
¾
-0.1
-0.3
V
输入电流
I
l
¾
¾
-0.36
-0.18
-1.8
-0.88
-3.6
-0.88
-0.5
mA
V
I
= -5V
输出电流
I
O(关)
¾
56
68
20
68
80
30
¾
¾
mA
V
CC
= -50V, V
I
= -0V
V
O
= -5V ,我
O
= -5mA
V
O
= -5V ,我
O
= -5mA
V
O
= -5V ,我
O
= -10mA
V
O
= -5V ,我
O
= -10mA
V
O
= -5V ,我
O
= -10mA
V
O
= -5V ,我
O
= -5mA
V
CE
= -10V ,我
E
= -5mA ,
F = 100MHz的
直流电流增益
G
l
¾
¾
¾
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
f
T
250
¾
兆赫
DS30420修订版1 - 2
2 4
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DDA ( XXXX )H
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