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型号:  
描述:
P4C1256-45DM  UXB02070G3TR100  TL16C550DIRHBG4  ZY110  UXB02070G3CCU00  TL16C550DPFBG4  PD55003  P4C1256-45CM  ZXTP25100CFH  UXB02070G3CR200  
FCX458 SOT89 NPN硅平面 (SOT89 NPN SILICON PLANAR)
.型号:   FCX458
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描述: SOT89 NPN硅平面
SOT89 NPN SILICON PLANAR
文件大小 :   18 K    
页数 : 1 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
第3期? 1995年10月
特点
* 400伏V
首席执行官
* P
合计
= 1瓦
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FCX558
N58
FCX458
C
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
400
400
5
225
500
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
集电极截止电流
I
CBO
I
CES
发射极截止电流
发射极饱和电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
开关时间
V
BE(上)
h
FE
100
100
15
50
5
135的典型
2260典型
分钟。
400
400
5
100
100
100
0.2
0.5
0.9
0.9
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100µA
I
C
=10mA*
I
E
=100µA
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 50mA时我
B
=6mA*
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V**
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
C
=100V
I
B1
= 5毫安,我
B2
=-10mA
300
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
对于典型特征图看FMMT458数据表
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