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描述:
QEHC49H3510DN5016  Q62703-Q4845  Q62703-Q5779  QEHC49H3510DM5016  Q62703-Q5965  QEHC49H3510DO3016  QEHC49H3510DO1016  QEHC49H3510DO1016  QEHC49H3510DN3016  Q62703-Q4851  
FCX558 SOT89 PNP硅平面高压晶体管 (SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR)
.型号:   FCX558
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描述: SOT89 PNP硅平面高压晶体管
SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
文件大小 :   17 K    
页数 : 1 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
SOT89 PNP硅平面
高压晶体管
第3期 - 1996年3月
特点
* 400伏V
首席执行官
* P
合计
= 1瓦
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FCX458
P58
FCX558
C
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
-400
-400
-5
-100
-100
-0.2
-0.5
-0.9
-0.9
100
100
15
50
5
95典型
1600典型
马克斯。
价值
-400
-400
-5
-200
-500
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
开关时间
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
;I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100µA
I
C
=-10mA*
I
E
=-100µA
V
CB
=-320V; V
CES
= 320V
V
EB
=-4V
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA*
I
C
= -50mA ,我
B
=-6mA*
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA*
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -1mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -100mA ,V
CE
=-10V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -10mA ,V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V , F = 1MHz的
I
C
= -50mA ,V
C
=-100V
I
B1
= -5mA ,我
B2
=-10mA
300
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
对于典型特征图看FZT558数据表。
3 - 90
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