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FCX589 SOT89 PNP硅平面介质 (SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM)
.型号:   FCX589
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描述: SOT89 PNP硅平面介质
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
文件大小 :   18 K    
页数 : 1 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
SOT89 PNP硅平面介质
功耗高性能晶体管
第3期 - 1995年10月
PARTMARKING详细信息 -
P89
7
FCX589
C
E
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-50
-30
-5
-2
-1
-200
1
-65到+150
B
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
击穿电压
符号最小值。
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
集电极截止电流
集电极发射极截止点
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流传输
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
100
100
80
40
100
15
-50
-30
-5
-100
-100
-100
-0.35
-0.65
-1.2
-1.1
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
条件。
I
C
=-100µA
I
C
=-10mA*
I
E
=-100µA
V
CB
=-30V
V
CES
=-30V
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V*
I
C
= -1mA ,V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ,V
CE
=-2V*
兆赫
pF
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
300
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
对于典型特征图看FMMT549数据表
3 - 91
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