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FMMT489TA SOT23 NPN硅平面中功率晶体管 (SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR)
.型号:   FMMT489TA
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描述: SOT23 NPN硅平面中功率晶体管
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
文件大小 :   54 K    
页数 : 1 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
SOT23 NPN硅平面
中功率晶体管
ISSUE3 - 1995年10月
7
特点
*导通电阻非常低的等效;
R
CE ( SAT )
175mΩ在1A
FMMT489
E
C
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FMMT589
489
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
100
100
60
20
150
10
分钟。
50
30
5
100
100
100
0.3
0.6
1.1
1.0
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
50
30
5
1
4
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=30V
V
CES
=30V
V
EB
=4V
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 2A ,我
B
=200mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 1A ,V
CE
=2V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=2V*
I
C
= 1A ,V
CE
=2V*
I
C
= 2A ,V
CE
=2V*
I
C
= 4A ,V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
对于典型特征图看FMMT449数据表
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