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对产品线
Diodes公司
 
绿色
FZT789A
25V PNP中功率晶体管SOT223
特点
BV
首席执行官
> -25V
I
C
= -3A高连续电流
低饱和电压V
CE ( SAT )
< -250mV @ -1A
R
CE ( SAT )
= 93mΩ的低等效导通电阻
h
FE
指定最多-6A一个高增益托起
互补NPN类型: FZT689B
无铅完成;符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
PPAP能(注4 )
机械数据
案例: SOT223
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成 - 雾锡镀信息,每焊
MIL- STD- 202方法208
重量: 0.112克(近似值)
应用
功率MOSFET & IGBT栅极驱动
电池供电的电路
快速充电转换器
低损耗功率开关
SOT223
C
E
B
C
C
B
顶视图
引脚输出
E
顶视图
设备符号
订购信息
(注4 & 5 )
产品
FZT789ATA
FZT789AQTA
注意事项:
合规
AEC-Q101
汽车
记号
FZT789A
FZT789A
卷尺寸(英寸)
7
7
胶带宽度(mm)
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。所有适用的RoHS指令的豁免申请。
2.关于Diodes公司的免费锑, "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
4,汽车产品均符合AEC - Q101标准,并PPAP能力。汽车, AEC- Q101标准的产品是电和热
同样,除非特别指定。
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
FZT
789A
FZT789A =产品型号标识
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FZT789A
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
-30
-25
-7
-3
-6
单位
V
V
V
A
A
热特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
功耗
热阻,结到环境
热阻,结到信息
工作和存储温度范围
(注6 )
(注7 )
(注6 )
(注7 )
(注8)
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
2
3
62.5
41.7
12.93
-55到+150
单位
W
W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
ESD额定值
(注9 )
特征
静电放电 - 人体模型
静电放电 - 机型号
注意事项:
符号
ESD HBM
ESD MM
价值
4,000
400
单位
V
V
JEDEC类
3A
C
6.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB与高覆盖单面的1盎司铜皮,在静止空气条件;测量设备时,
在稳态条件下运行。
7.同注( 6 ),除了在设备上安装50毫米×50毫米单面2盎司重量的铜。
从结点到焊接点8,热敏电阻(在集电极引线的端部) 。
9.请参考JEDEC规范JESD22- A114和JESD22- A115 。
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热特性和降额信息
70
50
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
热阻( ° C / W)
60
50
热阻( ° C / W)
T
AMB
=25°C
T
AMB
=25°C
40
30
50毫米×50毫米
2盎司FR4
D=0.5
40
D=0.5
30
20
10
0
100µ
1m
10m 100m
D=0.2
D=0.1
单脉冲
D=0.05
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
10
0
100µ
1m
10m 100m
1
脉冲宽度(S )
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
10
100
1k
瞬态热阻抗
瞬态热阻抗
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
50毫米×50毫米
2盎司FR4
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
最大功耗( W)
100
50毫米×50毫米
2盎司FR4
10
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
1
100µ
1m
10m 100m
脉冲宽度(S )
1
10
100
1k
最大功耗( W)
单脉冲
T
AMB
=25°C
温度(℃)
脉冲功率耗散
降额曲线
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FZT789A
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注8)
发射极 - 基极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
-30
-25
-7
300
250
200
100
典型值
-40
-35
-8.5
<1
<1
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压(注8 )
基射极饱和电压(注8 )
基射极导通电压(注8)
直流电流增益(注8 )
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
<1
-0.15
-0.30
-0.30
-0.80
-0.75
最大
-100
-10
-100
-100
-0.25
-0.45
-0.50
-1.0
-1.1
800
单位
V
V
V
nA
µA
nA
nA
V
V
V
电流增益带宽积(注8)
开启时间
打开-O FF时间
输入电容(注8)
输出电容(注8 )
注意事项:
f
T
t
on
t
关闭
C
IBO
C
敖包
100
兆赫
ns
ns
pF
pF
35
400
225
25
测试条件
I
C
= -100µA
I
C
= -10mA
I
E
= -100µA
V
CB
= -15V
V
CB
= -15V ,T
AMB
= 100°C
V
CE
= -15V
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ,我
B
= -10mA
I
C
= -2A ,我
B
= -20mA
I
C
= -3A ,我
B
= -100mA
I
C
= -1A ,我
B
= -10mA
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
I
C
= -2A ,V
CE
= -2V
I
C
= -6A ,V
CE
= -2V
V
CE
= -5V ,我
C
= -50mA
F = 50MHz的
V
CC
= -10V ,我
C
= -500mA
I
B1
= I
B2
= -50mA
V
EB
= -0.5V , F = 1MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
脉冲条件下8.测定。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%
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典型电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
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FZT789ATC

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FZT790A

PNP Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
19 KEXIN

FZT790A

Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 125mÙ at 2A, Gain of 200 at IC=1 Amps and Very low saturation voltage
15 TYSEMI

FZT790A

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
151 ZETEX