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MMDT3946
互补NPN / PNP小信号表面贴装晶体管
特点
其中3904型NPN
其中3906型PNP
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
互补对
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
A
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
B
C
D
F
M
E
2
B
2
C
1
0.65标称
H
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
终端连接:见图
标识信息: K46 - 第5页
订购&日期代码信息:参见第5页
重量: 0.006克(近似值)
K
H
J
K
L
M
α
J
D
C
2
B
1
E
1
F
L
尺寸:mm
E
2
B
2
C
1
E 1, B 1 ,C 1 = PNP3906节
E2 ,B2,C2 = NPN3904节
最大额定值, NPN 3904条
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1,2 )
热阻,结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
NPN 3904条
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
最大额定值, PNP 3906条
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1,2 )
热阻,结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
PNP 3906条
-40
-40
-5.0
-200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
最大组合耗散。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
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电气特性, NPN 3904条
特征
开关特性(注6 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注6 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
60
40
5.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
6.0
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
-4
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
6.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
x 10
μS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 20mA时,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
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电气特性, PNP 3906条
特征
开关特性(注6 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注6 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
-40
-40
-5.0
60
80
100
60
30
-0.65
2.0
0.1
100
3.0
250
最大
-50
-50
300
-0.25
-0.40
-0.85
-0.95
4.5
10
12
10
400
60
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
I
C
= -100μA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -1.0mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= -0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
-4
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
x 10
μS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
V
BE (OFF)的
= 0.5V ,我
B1
= -1.0mA
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
I
B1
= I
B2
= -1.0mA
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
15
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗对比
环境温度(共有设备)
200
10
5
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压( NPN - 3904 )
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1,000
1
100
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
h
FE
,直流电流增益
0.1
10
1
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益与
集电极电流( NPN - 3904 )
1,000
0.01
0.1
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流( NPN - 3904 )
10
100
1
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
10
0.1
1
10
100
1,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流( NPN - 3904 )
0.1
1
0.1
10
100
1
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 6 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压( PNP - 3906 )
1,000
10
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
h
FE
,直流电流增益
1
100
10
0.1
1
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 7 ,典型的直流电流增益与
集电极电流( PNP - 3906 )
1,000
0.01
1
10
100
1,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8 ,典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流( PNP - 3906 )
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1.0
0.9
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
0.8
0.7
0.6
I
C
I
B
= 10
0.5
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 9 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流( PNP - 3906 )
1
订购信息
设备
MMDT3946-7-F
注意事项:
7.
(注7 )
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K46
K46 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
YM
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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