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TSC303  TSC3627  TSC2028  TSC2624  TSC2411CXR  TSC2059CX  TSC3527  TSC2100IRHBR  TSC3624  TSC3722  
MMDT4401 双NPN小信号表面贴装晶体管 (DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR)
.型号:   MMDT4401
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描述: 双NPN小信号表面贴装晶体管
DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
文件大小 :   172 K    
页数 : 4 页
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品牌   DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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100%
电气特性
特征
开关特性(注6 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注6 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
15
20
225
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB (O FF )
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB (O FF )
= 0.4V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 150毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 500毫安,V
CE
= 2.0V
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
-4
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
6.
短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
pF
pF
x 10
μS
兆赫
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA时,
F = 100MHz的
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安,
V
BE (OFF)的
= 2.0V ,我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安,
I
B1
= I
B2
= 15毫安
ns
ns
ns
ns
300
250
注1
1,000
P
D
,功耗(毫瓦)
200
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
150
100
10
50
V
CE
= 1.0V
25
50
75 100 125 150 175 200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1最大功率耗散与环境温度
0
0
1
1
1,000
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
0.1
DS30111启示录13 - 2
2 4
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