1N5403 [DIOTEC]
Silicon Rectifiers; 矽整流器
| 型号： | 1N5403 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：180K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
1N 5400 … 1N 5408
Silicon Rectifiers
Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
1 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
1N 5400
1N 5401
1N 5402
1N 5403
1N 5404
1N 5405
1N 5406
1N 5407
1N 5408
50
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
100
200
300
400
500
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
30 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
180 / 200 A
166 A2s
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
68
28.02.2002
1N 5400 … 1N 5408
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+175ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 3 A
VF
IR
< 1.2 V
< 10 ꢀA
VR = VRRM
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
69
相关型号：
1N5403-E3/4H
DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
1N5403-E3/56
DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
1N5403/100
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
VISHAY
1N5403/4E
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
VISHAY
1N5403/4F-E3
DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
1N5403/4H-E3
DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
1N5403/51
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
VISHAY
1N5403/54
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
VISHAY
1N5403/56
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
VISHAY
1N5403/58-E3
DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明