B40C2300-1500A/B [DIOTEC]
Silicon-Bridge-Rectifiers; 硅桥式整流器
| 型号： | B40C2300-1500A/B |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Bridge-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：109K) |
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B...C2300-1500A/B
B...C2300-1500A/B
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2006-07-12
Nominal current
Nennstrom
2.3 / 1.5 A
40...500 V
3.5
19
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Type
Typ
Plastic case
Kunststoffgehäuse
19 x 3.5 x 10 [mm]
1.3 g
x
x
x
x
1.2
= =
Weight approx. – Gewicht ca.
0.25
0.8
5
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
5
5
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Suffix “A” for pinning / für Anschlussfolge [x x x x] = [+ ~ ~ –]
Suffix “B” for pinning / für Anschlussfolge [x x x x] = [~ + ~ –]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
VRMS [V]
V
RRM [V] 1)
80
B40C2300-1500A/B
B80C2300-1500A/B
B125C2300-1500A/B
B250C2300-1500A/B
B380C2300-1500A/B
B500C2300-1500A/B
40
80
160
125
250
380
500
250
600
800
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
10 A 2)
50/55 A
12.5 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
B...C2300-1500A/B
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
TA = 50°C
Tj = 25°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
1.8 A 1)
1.5 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
R-load
C-load
IFAV
IFAV
2.5 A
2.3 A
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
Leakage current – Sperrstrom
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 40 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
RL [Ω]
B40C2300-1500A/B
B80C2300-1500A/B
B125C2300-1500A/B
B250C2300-1500A/B
B380C2300-1500A/B
B500C2300-1500A/B
3100
1500
1000
400
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
1.6
3.2
80
160
250
600
800
5.0
12.0
16.0
300
250
20.0
1000
102
120
[%]
[A]
10
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
180a-(4a-1v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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