BAV21 [DIOTEC]
Silicon-Planar-Diodes; 硅平面二极管
| 型号： | BAV21 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Planar-Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：171K) |
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BAV 18 … BAV 21
Silicon-Planar-Diodes
Silizium-Planar-Dioden
Nominal current
250 mA
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…200 V
Glass case
DO-35
Glasgehäuse
SOD-27
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Marking:
One black ring denotes “cathode” and “ultrafast switching device”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung: Ein schwarzer Ring kennzeichnet “Kathode” und “ultraschneller
Gleichrichter”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM [V]
50
V
RSM [V]
60
BAV 18
BAV 19
BAV 20
BAV 21
100
150
200
120
200
250
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25ꢀC
IFAV
250 mA 1)
650 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
Max. power dissipation – Verlustleistung
TA = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
Ptot
500 mW 1)
1 A
Peak forward surge current – Stoßstrom, t ꢀ 1 s
Peak forward surge current – Stoßstrom, t = 1 ꢀs
IFSM
IFSM
5 A
1
)
Valid, if leads are kept at TA = 25ꢀC at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25ꢀC gehalten werden
36
01.10.2002
BAV 18 … BAV 21
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50...+ 200ꢀC
– 50...+ 200ꢀC
TS
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Tj = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IF = 0.1 A
VR = VRRM
VF
< 1.0 V
Durchlaßspannung
Leakage current
Sperrstrom
IR
IR
< 100 nA
TA = 100ꢀC VR = VRRM
< 15 ꢀA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 30 mA through/über
IR = 30 mA to/auf IR = 3 mA
RL = 100 ꢁ
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA < 0.3 K/mW 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at TA = 25ꢀC at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25ꢀC gehalten werden
01.10.2002
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相关型号：
BAV21-AP
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
MCC
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