BY133 [DIOTEC]

Silicon Rectifiers; 矽整流器
BY133
型号: BY133
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Silicon Rectifiers
矽整流器

整流二极管 IOT
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BY 133 ... BY 135  
Silicon Rectifiers  
Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
1 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1300 V  
Plastic case  
DO-41  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AL  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
V
RRM [V]  
1300  
600  
BY 133  
BY 134  
BY 135  
1600  
800  
150  
200  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
1 A 1)  
10 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
50 A  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
12.5 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+175C  
TS – 50…+175C  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
54  
28.02.2002  
BY 133 ... BY 135  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage – Durchlaßspannung  
Leakage current – Sperrstrom  
Tj = 25C  
IF = 1 A  
VF  
< 1.3 V  
Tj = 25C  
Tj = 100C  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IR  
IR  
< 5 A  
< 50 A  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
28.02.2002  
55  

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暂无描述
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