BY2000 [DIOTEC]
Silicon Rectifiers; 矽整流器
| 型号： | BY2000 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：190K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
BY 251 … BY 255, BY 1600 … BY 2000
Silicon Rectifiers
Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3 A
Ø 4.5±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
200…2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
1 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
BY 251
200
200
BY 252
400
400
BY 253
600
600
BY 254
800
800
BY 255
1300
1600
1800
2000
1300
BY 1600
1600
BY 1800
1800
2000
BY 2000
higher voltages see page 191:
BY 4...BY 16
höhere Spannungen siehe Seite 191:
4000...16000
4000...16000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
20 A 1)
100 A
50 A2s
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
64
28.02.2002
BY 251…BY 255, BY 1600…BY 2000
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS – 50…+175ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 3 A
VF
IR
< 1.1 V
< 20 ꢀA
VR = VRRM
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
65
相关型号：
BY203-12S-TAP
DIODE 0.25 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
VISHAY
BY203-12STR
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.25A, 1200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
VISHAY
BY203-16S-TAP
DIODE 0.25 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
VISHAY
BY203-16STAP
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.25A, 1600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
VISHAY
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明