BY396 [DIOTEC]
Fast Silicon Rectifiers; 快速矽整流器
| 型号： | BY396 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Fast Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：201K) |
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BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M
Schnelle Silizium Gleichrichter
Fast Silicon Rectifiers
Nominal current – Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100…1000 V
Plastic case
~ DO-201
1 g
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RRM [V]
100
V
RSM [V]
100
BY 396
BY 397
BY 398
200
400
200
400
BY 399
=
RGP 30K
RGP 30M
800
1000
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f >15 Hz
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
20 A 1)
100 A
50 A2s
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
– 50…+175ꢀC
TS
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
116
01.10.2002
BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 3 A
VF
IR
tfr
< 1.2 V
< 10 ꢀA
< 1.0 ꢀs
< 500 ns
VR = VRRM
IF = 100 mA
Forward recovery time – Durchlaßverzug
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
trr
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.10.2002
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相关型号：
BY396-G
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
SENSITRON
BY396-T3
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
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BY396P-E3
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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