BYZ35A32 [DIOTEC]
Trans Voltage Suppressor Diode, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,;
| 型号： | BYZ35A32 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Trans Voltage Suppressor Diode, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, 局域网 二极管 |
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BYZ 35A22 ... BYZ 35A37
BYZ 35K22 ... BYZ 35K37
Silicon Protectifiers
with TVS characteristics
High-temperature diodes
Silizium Schutzgleichrichter
mit Begrenzereigenschaften
Hochtemperaturdioden
Nominal current – Nennstrom
35 A
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
20...40 V
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca.
10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk – Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type / Typ
Breakdown voltage
Reverse volt. Forward voltage
Max. clamping voltage
Wire to / Draht an
Abbruch-Spannung Sperrspannung Durchlaßspanng. Max. Begrenzerspanng.
IT = 100 mA
VBRmin [V] VBRmax
IR = 50 : A
VR [V]
tp = 0.3 s
VF [V] IF [A]
at / bei IPP, tp = 1m s
Anode
Cathode
VC [V]
IPP [A]
BYZ 35A22
BYZ 35A26
BYZ 35A32
BYZ 35A37
BYZ 35K22
BYZ 35K26
BYZ 35K32
BYZ 35K37
20.0
24.0
29.0
34.0
25.0
30.0
36.0
40.0
16.0
20.0
26.0
30.0
< 1.2
< 1.2
< 1.3
< 1.3
100
100
80
35
80
40
80
50
60
80
56
60
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150/C
TA = 25/C
TA = 25/C
IFAV
35 A
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
270 / 300 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms
i2t
Tj
375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
– 50…+215/C
TS – 50…+215/C
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck
7 kN
Thermal resistance junction to case
RthC
< 0.8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
170
01.04.2000
BYZ 50A22 ... BYZ 50A37
BYZ 50K22 ... BYZ 50K37
Silicon Protectifiers
with TVS characteristics
High-temperature diodes
Silizium Schutzgleichrichter
mit Begrenzereigenschaften
Hochtemperaturdioden
Power dissipation – Verlustleistung
50 W
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
20...40 V
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca.
10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk – Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type / Typ
Breakdown voltage
Reverse volt. Forward voltage
Max. clamping voltage
Wire to / Draht an
Abbruch-Spannung Sperrspannung Durchlaßspanng. Max. Begrenzerspanng.
IT = 100 mA
VBRmin [V] VBRmax
IR = 50 : A
tp = 0.3 s
VF [V] IF [A]
at / bei IPP, tp = 1m s
Anode
Cathode
VR [V]
VC [V]
IPP [A]
100
100
80
BYZ 50A22
BYZ 50A26
BYZ 50A32
BYZ 50A37
BYZ 50K22
BYZ 50K26
BYZ 50K32
BYZ 50K37
20.0
24.0
29.0
34.0
25.0
30.0
36.0
40.0
16.0
20.0
26.0
30.0
< 1.1
< 1.1
< 1.2
< 1.2
100
100
80
35
40
50
80
56
80
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150/C
TA = 25/C
TA = 25/C
IFAV
50 A
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
360 / 400 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms
i2t
Tj
660 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
– 50…+215/C
TS – 50…+215/C
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck
7 kN
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 0.6 K/W
171
01.04.2000
相关型号：
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