BZW0670 [DIOTEC]
Transient Voltage Suppressor Diodes;
| 型号： | BZW0670 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 文件： | 总3页 (文件大小：152K) |
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BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-10-26
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
~DO-15
~DO-204AC
Free-wheeling diodes
Freilauf-Dioden
Commercial grade
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Ø 3±0.05
Features
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
R
Konform zu RoHS, REACH,
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Mechanical Data 1)
Ø 0.8±0.05
Taped in ammo pack
Weight approx.
4000
0.4 g
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM
PM(AV)
IFSM
600 W 3)
5 W 4)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 75°C
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms)
100 A 5)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
VF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
RthL
45 K/W 4)
15 K/W
Typical thermal resistance junction to lead
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
4
5
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
BZW06-
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung
Max. clamping voltage
*) at / bei IT = 10 mA
at / bei IPPM (10/1000 µs)
unidirectional
bidirectional
VWM [V]
ID [µA]
VBR [V]
VC [V]
IPPM [A]
5V8
6V4
7V0
7V8
8V5
9V4
10
5V8B
6V4B
7V0B
7V8B
8V5B
9V4B
10B
5.8
1000
500
200
50
10
5
6.8 ± 5%
6.45...7.14 *)
7.13...7.88 *)
7.79...8.61 *)
8.65...9.55
9.5...10.5
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
57
53
50
45
41
38
36
33
28
27
24
22
20
6.4
7.5 ± 5%
8.2 ± 5%
9.1 ± 5%
10 ± 5%
11 ± 5%
12 ± 5%
13 ± 5%
15 ± 5%
16 ± 5%
18 ± 5%
20 ± 5%
22 ± 5%
7.02
7.78
8.55
9.4
10.5...11.6
11.4...12.6
12.4...13.7
14.3...15.8
15.2...16.8
17.1...18.9
19.0...21.0
20.9...23.1
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
5
11
11B
5
13
13B
5
14
14B
5
15
15B
5
17
17B
5
19/-Q
19B
5
20
20B/-Q
20.5
5
24 ± 5%
22.8...25.2
33.2
18
23
26
23B
26B
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
64.1
70.1
77.8
85.8
94.0
102
111
128
136
145
154
171
188
213
239
256
273
299
342
376
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
27 ± 5%
30 ± 5%
33 ± 5%
36 ± 5%
39 ± 5%
43 ± 5%
47 ± 5%
51 ± 5%
56 ± 5%
62 ± 5%
68 ± 5%
75 ± 5%
82 ± 5%
91 ± 5%
100 ± 5%
110 ± 5%
120 ± 5%
130 ± 5%
150 ± 5%
160 ± 5%
170 ± 5%
180 ± 5%
200 ± 5%
220 ± 5%
250 ± 5%
280 ± 5%
300 ± 5%
320 ± 5%
350 ± 5%
400 ± 5%
440 ± 5%
25.7...28.4
28.5...31.5
31.4...34.7
34.2...37.8
37.1...41.0
40.9...45.2
44.7...49.4
48.5...53.6
53.2...58.8
58.9...65.1
64.6...71.4
71.3...78.8
77.9...86.1
86.5...95.5
95.0...105
105...116
114...126
124...137
143...158
152...168
162...179
171...189
190...210
209...231
237...263
266...294
285...315
304...336
332...368
380...420
418...462
37.5
41.5
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
301
344
384
414
438
482
548
603
16
14.5
13.1
12.0
11.1
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
4.4
3.9
3.6
3.4
2.9
2.7
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.7
1.6
1.6
1.6
1.3
1.3
28
28B
31
31B
33
33B
37
37B
40
40B
44
44B
48
48B
53
53B
58
58B
64
64B
70
70B
78
78B
85
85B
94
94B
102
111
128
136
145
154
171
188
213
239
256
273
299
342
376
102B
111B
128B
136B
145B
154B
171B
188B
213B
239B
256B
273B
299B
342B
376B
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
120
[%]
tr = 10 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
40
IPP
20
PM(AV)
0
20
PPP
tP
0
0
TA
100
150
50
[°C]
0
1
2
3
[ms] 4
Steady state power dissip. vs. ambient temperature1)
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp.1)
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
102
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs
tP
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
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Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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