DA4148K [DIOTEC]

DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)

DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)

Small Signal Diode Arrays

Diodensätze mit Allzweckdioden

Version 2008-06-06

Nominal power dissipation

Nenn-Verlustleistung

24

±0.2

3.5

200 mW

80 V

24 x 3.5 x 6.6 [mm]

0.6 g

6.6

Type / Typ

3.5

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

9-pin Plastic case

9-Pin Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

Ø 0.5

8 x 2.54

Dimensions - Maße [mm]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1

2

3

4

5

6

7

8

9

“DAN” / DA4148“K“ common cathodes / gemeinsame Kathoden

“DAP” / DA4148“A“ common anodes / gemeinsame Anoden

Maximum ratings

Type

Typ

DAN803 = DA4148K

DAP803 = DA4148A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V

RRM

[V]

1

)

80

80

Grenzwerte

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V

RSM

[V]

1

)

80

80

Max. average forward rectified current, R-load

for one diode operation only

for simultaneous operation

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

für eine einzelne Diode

bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

A

= 25°C

I

FAV

I

FAV

I

FAV

I

FAV

I

FSM

T

j

T

S

100 mA

2

)

25 mA

2

)

100 mA

2

)

25 mA

2

)

500 mA

-50...+150°C

-50...+150°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

1

2

Per diode – Pro Diode

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

1

DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)

Characteristics

Forward voltage

Durchlass-Spannung

Leakage current

Sperrstrom

Reverse recovery time

Sperrverzug

Thermal resistance junction to case

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

T

j

= 25°C

T

j

= 25°C

I

F

= 10 mA

V

R

= 20 V

V

F

I

R

t

rr

R

thC

Kennwerte

< 1.0 V

1

)

< 25 nA

< 4 ns

< 85 K/W

2

)

I

F

= 10 mA through/über

I

R

= 10 mA to I

R

= 1 mA

120

[%]

100

1

[A]

10

-1

80

T

j

= 125°C

60

10

-2

40

10

20

I

FAV

0

0

T

A

50

100

150

[°C]

1

-3

T

j

= 25°C

I

F

10

-4

0

V

F

0.4

0.6

0.8

1.0

[V] 1.4

Rated forward current versus ambient temperature )

1

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

1

2

Per diode – Pro Diode

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

2