DD300_07 [DIOTEC]
Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter; 快速开关高压硅整流器Schnelle思Hochspannungs - Gleichrichter
| 型号： | DD300_07 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter |
| 文件： | 总2页 (文件大小：59K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
DD300 ... DD1800
DD300 ... DD1800
Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers
Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Version 2007-03-16
DD300...600
DD1000...1800
Nominal current
Nennstrom
20 mA
Ø 3±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
3 ... 18 kV
Ø 2.5±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DD300...DD600
DD1000...DD1800
Ø 2.5 x 6.5 [mm]
Ø 3 x 12 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
DD300...DD600
DD1000...DD1800
0.3 g
0.7 g
Ø 0.5±0.05
Ø 0.6±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM [V]
DD300
3000
6000
3000
6000
DD600
DD1000
DD1200
DD1400
DD1600
DD1800
10000
12000
14000
16000
18000
10000
12000
14000
16000
18000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
20 mA 1)
300 mA 1)
3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DD300 ... DD1800
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 10 mA
VR = VRRM
VF
IR
< 40 V
Leakage current
Sperrstrom
< 5 µA
< 150 ns
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to IR = 1 mA
trr
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 60 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
120
[%]
[mA]
100
80
60
40
IF
20
IFAV
0
[V]
0
VF
20
30
50
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
DD301R
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
DD301SR
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
DD302R
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
DD302S
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
DD303R
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
DD303SR
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明