ESDB24C-Q [DIOTEC]
ESD Protection Diodes in SMD;
| 型号： | ESDB24C-Q |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | ESD Protection Diodes in SMD |
| 文件： | 总2页 (文件大小：192K) |
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ESDB3V3C ... ESDB24C
ESDB3V3C ... ESDB24C
PPPM = 200 ... 350 W VWM = 3.3V...24 V
Tjmax = 150°C VBRmin = 5.8V...25.4 V
VPP = ± 23 ... 30 kV
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
Version 2018-09-04
Typical Applications
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
ESD protection
Data line and I/O port
protection
Commercial grade
Standardausführung
SOT-23
(TO-236)
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Bidirectional clamping
Dual diode
High peak pulse power
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Bidirektionales Begrenzen
Doppeldiode
Hohe Impulsfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
+0.1
-0.2
2.9±0.1
1.1
0.4+-00..015
3
R
Type
Code
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
1
2
1.9±0.1
Taped and reeled
3000 / 7“
0.01 g
Gegurtet auf Rolle
Weight approx.
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
3
Type Code:
Bidirectional
Bidirektional
See table next page
Siehe Tabelle
1
2
nächste Seite
1 = A11 2 = A22 3 = A12/A21
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
3
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
)
ESDB3V3C...5V0C
ESDB12C ... 24C/-Q
350 W
200 W
PPPM
IPPM
VPP
3
)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)
ESDB3V3C
ESDB5V0C
ESDB12C ... 15C
ESDB24C/-Q
15 A
13 A
5 A
3 A
ESD immunity (contact discharge)
ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)
IEC 61000-4-2
ESDB3V3C...15C
ESDB24C/-Q
± 30 kV
± 23 kV
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified
TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ESDB3V3C ... ESDB24C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Code Junction capacitance Stand-off voltage Max. rev. current Breakdown voltage
Max. clamping voltage
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Sperrspannung
Max. Sperrstrom Abbruch-Spannung Max. Begrenzer-Spannung
at / bei VWM
IT = 1 mA
at / bei IPP (8/20 µs)
Cj [pF]
VWM [V]
3.3
ID [µA]
VBR [V]
VC [V]
IPP [A]
8
26
1
15
ESDB3V3C
ESDB5V0C
ESDB12C
S3
T3
U3
V3
W3
typ. 101
2
5.8 ... 6.9
7 ... 8.2
10
28
1
13
typ. 75
typ. 19
typ. 16
typ. 11
5
1
20
37
1
5
12
15
24
0.05
0.05
0.05
14.2 ... 16.7
17.1 ... 20.3
25.4 ... 30.3
25
44
1
5
ESDB15C
40
70
1
3
ESDB24C/-Q
120
[%]
tr = 8 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
IPP
20
PPP
0
40
IPP
20
PPP
tP
t
0
0
20
40
60 [µs]
0
TA
100
150
[°C]
50
Peak pulse power/current vs. ambient temperature1)
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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