F11K120_15 [DIOTEC]
Rectifier with Overvoltage Protection;
| 型号： | F11K120_15 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Rectifier with Overvoltage Protection |
| 文件： | 总2页 (文件大小：121K) |
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F11K120
F11K120
Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz
Version 2013-12-06
Nominal current
Nennstrom
11 A
Stand off voltage
Sperrspannung
120 V
Ø 5.4±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
(~ DO-201)
Weight approx. – Gewicht ca.
1.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Low forward losses, high reverse pulse power capability
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Sperr-Belastbarkeit
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Type
Typ
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at/bei VWM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
VWM [V]
120
ID [µA]
5
VBR min [V]
130
@ IT [mA]
5
IF = 5A
< 0.97
IF = 11A
< 1.10
F11K120
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TL = 50°C
IFAV
Ptot
11 A 1)
5 W
Total steady state power dissipation
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 50°C
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
IFRM
IFSM
50 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
250/280 A
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
10/1000µs pulse 2)
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
PPPM
IPPM
i2t
700 W
100 A
Max. reverse peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung
8/20µs pulse 3)
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
200 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+175°C
+200°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at TL at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf TL gehalten werden
See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs
2
3
See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
F11K120
Characteristics
Kennwerte
< 100 µA
20 kV
Hot leakage current – Heiß-Sperrstrom
Tj = 100°C VR = VWM
C = 100pF R = 1.5kΩ
IR
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 350 ns
Thermal resistance junction to ambient air – Wärmewiderst. Sperrschicht – umg. Luft
Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderst. Sperrschicht – Anschlussdraht
RthA
RthL
< 25 K/W 1)
< 10 K/W
120
[%]
103
[A]
102
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
250a-(7.5a-1,05v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TC
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
100
150
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
tr = 10 µs
tr = 8 µs
100
[%]
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
IPPM/2
PPPM/2
PPPM/2
40
IPP
40
IPP
20
PPP
20
PPP
tP
tP
0
0
0
t
1
2
3
[ms] 4
0
t
20
40
60 [µs]
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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