FE3A [DIOTEC]
Super Fast Silicon Rectifiers; 超快速整流硅
| 型号： | FE3A |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Super Fast Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：155K) |
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FE 3A … FE 3G
Superschnelle Silizium Gleichrichter
Super Fast Silicon Rectifiers
Nominal current – Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
1 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
FE 3A
FE 3B
FE 3D
FE 3F
FE 3G
50
50
100
200
300
400
100
200
300
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
30 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
125 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
78 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+175ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
128
28.02.2002
FE 3A … FE 3G
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 3 A
VF
IR
< 0.95 V
< 5 ꢀA
<50 ns
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
129
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