GBU8B [DIOTEC]
Silicon-Bridge Rectifiers; 硅桥式整流器型号: | GBU8B |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Silicon-Bridge Rectifiers |
文件: | 总2页 (文件大小:232K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
GBU 8A … GBU 8M
Silicon-Bridge Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Nominal current – Nennstrom
8 A
Alternating input voltage
35…700 V
Eingangswechselspannung
Plastic case
20.8 x 3.3 x 18 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
3.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
see page 22
s. Seite 22
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions / Maße in mm
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
max. alternating input voltage
max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung
VVRMS [V]
35
VRRM [V] 1)
50
GBU 8A
GBU 8B
GBU 8D
GBU 8G
GBU 8J
GBU 8K
GBU 8M
70
140
280
420
560
700
100
200
400
600
800
1000
Repetitive peak fwd. current – Period. Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
IFSM
50 A 2)
300 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25ꢀC
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25ꢀC
i2t
375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+150ꢀC
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M 4
9 ± 10% lb.in
1 ± 10% Nm
1
)
)
Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
334
01.10.2002
GBU 8A … GBU 8M
Characteristics
Kennwerte
Max. fwd. current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50ꢀC
TA = 50ꢀC
R-load
IFAV
IFAV
5.6 A
4.5 A
C-load
Max. current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
R-load
C-load
IFAV
IFAV
8.0 A
6.4 A
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 8 A
VF
IR
< 1.0 V 1)
< 10 ꢀA
< 3 K/W
VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
RthC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [ꢀF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [ꢁ]
GBU 8A
GBU 8B
GBU 8D
GBU 8G
GBU 8J
GBU 8K
GBU 8M
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
1) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
01.10.2002
335
相关型号:
GBU8B-E3/1
DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode
VISHAY
GBU8B-E3/22
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN
VISHAY
GBU8B-G
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 100V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, GBU, 4 PIN
SENSITRON
GBU8B-LF
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, SIP-4
WTE
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明