KBPC1000WM [DIOTEC]
Bridge Rectifier Diode, 10A, 50V V(RRM),;
| 型号： | KBPC1000WM |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Bridge Rectifier Diode, 10A, 50V V(RRM), 整流二极管 桥式整流二极管 IOT |
| 文件： | 总2页 (文件大小：830K) |
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KBPC10 00...16 FP/WP KBPC15 00...16 FP/WP KBPC25 00...16 FP/WP
KBPC10 00...16 FP/WP
KBPC15 00...16 FP/WP
KBPC25 00...16 FP/WP
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2007-10-02
Nominal current
Nennstrom
10 / 15 / 25 A
35...1000 V
Type “FP“
16.6±0.5
Ø 5.2
6.7
+
7.3
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
+
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
Index “P“
21.6±1
18.1±0.5
28.6±0.2
=
=
Dimensions
Abmessungen
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
17 g
Weight approx.
Gewicht ca.
Type “WP“
11.6±0.5
7.3
+
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
+
Ø 5.2
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
18±0.5
=
=
min. 30
28.6±0.2
Marking (Example)
Bestempelung (Beispiel)
10
15
~
KBPC 25 16
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type 1)
Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage
Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspg.
Typ 1)
V
VRMS [V]
VRRM [V] 2)
50
KBPC1000
KBPC1001
KBPC1002
KBPC1004
KBPC1006
KBPC1008
KBPC1010
KBPC1012
KBPC1014
KBPC1016
KBPC1500
KBPC2500
KBPC2501
KBPC2502
KBPC2504
KBPC2506
KBPC2508
KBPC2510
KBPC2512
KBPC2514
KBPC2516
35
KBPC1501
KBPC1502
KBPC1504
KBPC1506
KBPC1508
KBPC1510
KBPC1512
KBPC1514
KBPC1516
70
100
140
280
420
560
700
800
900
1000
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1
2
Add index “FP“ or “WP“, according to connector type – Je nach Anschlussversion ist der Index “FP“ oder “WP“ zu ergänzen
Valid per diode – Gültig pro Diode
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC10 00...16 FP/WP KBPC15 00...16 FP/WP KBPC25 00...16 FP/WP
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
60 A 1)
270/300 A
375 A2s
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C R-load
IFAV
IFAV
25 A
20 A
C-load
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C IF = 12.5 A VF
< 1.2 V 2)
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
VISO
> 2500 V
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
RthC
< 2.0 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
102
120
[%]
[A]
10
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
270a-(12a-1.2v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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