KBPC3500I_07 [DIOTEC]
Silicon-Bridge-Rectifiers; 硅桥式整流器
| 型号： | KBPC3500I_07 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Bridge-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：97K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
KBPC3500I ... KBPC3510I
KBPC3500I ... KBPC3510I
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2006-08-11
Nominal current
Nennstrom
35 A
28.6±0.2
7.3
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Ø 5.2
Plastik case – Plastikgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
17 g
+
~
~
=
=
2.0±0.5
Ø 1.2
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
5
5
5
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
VRMS [V]
V
RRM [V] 1)
50
KBPC3500I
KBPC3501I
KBPC3502I
KBPC3504I
KBPC3506I
KBPC3508I
KBPC3510I
35
70
100
140
280
420
560
700
200
400
600
800
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
80 A 2)
375 A
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
IFSM
i2t
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
400 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
660 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC3500I ... KBPC3510I
Characteristics
Kennwerte
1
Max. current with cooling fin 300 cm²
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
35 A
28 A
< 1.1 V 2)
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 17.5 A
VR = VRRM
VF
IR
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
VISO
> 2500 V
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
RthC
< 1.5 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
103
120
[%]
[A]
102
100
80
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
375a-(17.5a-1.1v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
KBPC3500P-LF
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPC-P, 4 PIN
WTE
KBPC3500PW-G
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBPC-PW, 4 PIN
SENSITRON
KBPC3500PW-LF
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPC-PW, 4 PIN
WTE
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明