MMBD4448SDW-Q [DIOTEC]
Rectifier Diode,;
| 型号： | MMBD4448SDW-Q |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：188K) |
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BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
IFAV = 150 mA
VF1 < 0.715 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 75 V
IFSM1 = 2 A
SMD Small Signal Diode Arrays
SMD Kleinsignal-Dioden-Arrays
trr
< 4 ns
Version 2019-11-22
Typical Applications
Typische Anwendungen
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Signalverarbeitung, Schnelles Schalten,
Gleichrichten
SOT-363
Commercial grade
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
2±0.1
2 x 0.65
0.9±0.1
Features
Besonderheiten
Sehr niedriges trr, Cj und IR
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
5
4
6
Very low trr, Cj and IR
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
R
Type
Code
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
1
2
3
Taped and reeled
3000 / 7“
0.01 g
Gegurtet auf Rolle
0.3
Weight approx.
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
BAS16DW/-AQ
BAV70DW
6
5
4
6
5
4
3
Type
Code
KW
2 x 2
Common
Cathode
Type
Code
A4
Single
Diodes
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3 = A 4, 5, 6 = C
1 = A1, 2 = A2, 3 = C3/C4
4 = A3, 5 = A4, 6 = C1/C2
BAV756DW
MMBD4448SDW
5
5
6
4
6
4
2 x 2
4 in
Type
Code
B7
Type
Code
KB
Common
Cathode/
Anode
Bridge
Config-
uration
1
2
3
1
2
3
1 = A1, 2 = C2, 3 = A2/A3
4 = C3, 5 = A4, 6 = C1/C4
1 = A1, 2 = C1, 3 = AC2
4 = A2, 5 = C2, 6 = AC1
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
200 mW 3)
150 mA 3)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum average forward current – Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Ptot
IFAV
IFRM
300 mA 3)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
tp ≤ 1 s
IFSM
0.5 A
2 A
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
MMBD4448SDW, BAS16DW/-AQ
BAV756DW
75 V
90 V
VRRM
BAV70DW
100 V
Junction/ Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-55…+150°C
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2
3
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
Characteristics
Kennwerte
BAS16DW/
-AQ
BAV70DW MMBD4448SDW
BAV756DW
Forward voltage
1 mA
5 mA
10 mA
50 mA
100 mA
150 mA
< 715 mV
–
< 855 mV
< 1.0 V
–
< 715 mV
–
< 855 mV
< 1.0 V
–
–
620 ... 720 mV
< 855 mV
–
Durchlass-Spannung
1
)
Tj = 25°C
IF =
VF
< 1.0 V
< 1.25 V
< 1.25 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
)
20 V
25 V
75 V
80 V
< 30 nA
–
< 30 nA
–
< 25 nA
–
< 1.0 µA
–
–
–
Tj = 25°C
VR =
VR =
IR
1
< 0.5 µA
< 100 nA
25 V
75 V
80 V
< 30 µA
< 50 µA
–
–
< 30 µA
< 100 µA
< 30 µA
< 50 µA
–
Tj = 150°C
IR
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
trr
typ. 2 pF 2)
< 4 ns 2)
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 400 K/W 3)
1
120
[%]
[A]
100
10-1
10-2
80
Tj = 125°C
60
40
Tj = 25°C
10-3
IF
20
Ptot
0
10-4
0
0
TA 50
100
150
[°C]
VF
0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature3)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. 3)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
3
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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