MMBTA05 [DIOTEC]
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors; 表面贴装通用硅外延平面型晶体管
| 型号： | MMBTA05 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors |
| 文件： | 总2页 (文件大小：108K) |
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MMBTA05 / MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors
Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage
NPN
NPN
Version 2007-06-25
Power dissipation
Verlustleistung
250 mW
2.9±0.1
1.1
0.4
3
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
Type
Code
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
2
1
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Dimensions / Maße [mm]
1 = B 2 = E 3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA05
MMBTA06
80 V
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
B open
E open
C open
VCEO
VCBO
VEBO
Ptot
IC
60 V
60 V
80 V
4 V
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
500 mA
IB
100 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
IBM
Tj
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-55...+150°C
-55…+150°C
TS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 60 V
IE = 0, VCB = 80 V
MMBTA05
MMBTA06
ICB0
ICB0
–
–
–
–
100 nA
100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, VEB = 4 V
IEB0
–
–
–
–
–
100 nA
250 mV
1.2 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
VCEsat
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
VBEsat
–
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MMBTA05 / MMBTA06
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 1 V, IC = 10 mA
VCE = 1 V, IC = 100 mA
hFE
hFE
100
100
–
–
–
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
fT
100 MHz
–
–
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 420 K/W 1)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MMBTA55, MMBTA56
Marking - Stempelung
MMBTA05 = 1H
MMBTA06 = 1GM
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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