MUR140 [DIOTEC]
Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes; 超快Effcient硅整流二极管
| 型号： | MUR140 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：100K) |
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MUR130 ... MUR160
Version 2011-10-24
MUR130 ... MUR160
Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes
Superschnelle Hocheffizienz-Si-Gleichrichterdioden
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
300...600 V
Ø 2.6-0.1
Plastic case
DO-41
Kunststoffgehäuse
DO-204AL
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 0.77±0.07
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive/Surge peak reverse voltage
Periodische-/ Stoßspitzensperrspannung
VRRM / VRSM [V]
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 2)
MUR130
MUR140
MUR160
300
400
600
< 50
< 50
< 50
< 1.25
< 1.25
< 1.25
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
1 A 1)
6 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
32/35 A
5 A2s
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
< 15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
1
2
1
Tj = 25°C, IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Tj = 25°C, IF = 1A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MUR130 ... MUR160
10
120
[%]
[A]
100
80
60
40
20
Tj = 125°C
1
Tj = 25°C
0.1
10-2
IF
IFAV
0
10-3
VF
[V]
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
50
[pF]
[µA]
101
40
30
20
10
Tj = 125°C
Tj = 100°C
1
10-1
Tj = 25°C
IR
Cj
0
10-2
VRRM
[%]
100
0
40
60
80
VR
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
102
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
MUR140-AP
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-2
MCC
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