MURF2005CT [DIOTEC]
SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER;
| 型号： | MURF2005CT |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER 超快速恢复二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：165K) |
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MURF2060CT
MURF2060CT
IFAV = 2x 10 A
VF125 ~ 1.25 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 600 V
IFSM = 90/100 A
trr1 < 25 ns
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
Version 2016-11-28
Typical Applications
Typische Anwendungen
Rectification of higher frequencies,
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
ITO-220AB
10.1±0.3
Commercial grade 1)
Standardausführung 1)
2.6±0.2
Features
Isolated package
Besonderheiten
Isoliertes Gehäuse
Ø 3.2±0.2
4.5±0.2
Dual diode, common cathode
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Type
Typ
1 2 3
Niedrige Fluss-Spannung
R
2.6±0.2
Konform zu RoHS, REACH,
V
Konfliktmineralien 1)
1
2 3
1.3
0.7±0.2
0.6±0.1
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
2.54±0.1
Packed in tubes
50
Verpackt in Stangen
Gewicht ca.
Weight approx.
1.8 g
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
MURF2060CT
600
600
Average forward current
Dauergrenzstrom
10 A 3)
20 A 4)
TC = 85°C
TC = 85°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
18 A 2)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
90 A 2)
100 A 2)
Rating for fusing
Grenzlastintegral
t < 10 ms
TA = 25°C
40 A2s
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
< 1 µA
< 100 µA
VR = VRRM
VR = 4 V
IR
Cj
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
typ. 40 pF
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 6.0 K/W 3)
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Per diode − Pro Diode
2
3
4
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MURF2060CT
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1)
trr [ns] 2)
@ Tj
25°C
VF [V]
@ IF [A]
@ Tj
typ. 1.25
< 2.0
10
10
150°C
25°C
MURF2060CT
< 25
< 50
100
[A]
120
[%]
100
10
80
Tj = 150°C
Tj = 25°C
60
1
40
10-1
IF
20
IFAV
0
10-2
VF
[V]
0
TC
100
150
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
102
[µA]
101
Tj = 125°C
Tj = 100°C
1
10-1
IR
Tj = 25°C
10-2
VRRM
[%]
100
0
40
60
80
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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