PSOT03 [DIOTEC]
TVS DIODE,;
| 型号： | PSOT03 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | TVS DIODE, 局域网 光电二极管 电视 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：189K) |
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PSOT03 ... PSOT36C
PPPM = 500 W
Tjmax = 150°C
VWM = 3.3V...36 V
VBRmin = 4.0V...40 V
VPP-HBM = ± 15 kV
PSOT03 ... PSOT36C
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
Version 2019-05-31
Typical Applications
ESD protection
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
SOT-23
(TO-236)
Data line and I/O port
protection
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
Standardausführung
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
+0.1
-0.2
2.9±0.1
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
1.1
0.4+-00..015
3
Features
Besonderheiten
Einzel- oder Doppeldiode
Für ESD-Schutz bis zu 40 kV
Single or Dual diodes
For ESD protection up to 40 kV
High peak pulse power
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Type
Code
Hohe Impulsfestigkeit
1
2
R
Konform zu RoHS, REACH,
1.9±0.1
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Case material
Gehäusematerial
Type Code:
See table next page
Siehe Tabelle nächste Seite
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
PSOTxx
PSOTxxC
3
3
1 = A
1 = C1
2 = C2
3 = A1/A2
Single
Diode
Common
2 = n. c.
Anode
3 = C
1
2
1
2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
PPPM
500 W 3)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
ESD compatibility (HBM, air discharge)
ESD-Verträglichkeit (HBM, Luftentladung)
JESD22-A114D
IEC 61000-4-2
VPP
VPP
± 15 kV
± 8 kV
ESD compatibility (contact discharge)
ESD-Verträglichkeit (Kontaktentladung)
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified
TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
PSOT03 ... PSOT36C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Code
Junction capacitance Stand-off voltage Max. rev. current Breakdown voltage
Max. clamping voltage
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Sperrspannung
Max. Sperrstrom Abbruch-Spannung Max. Begrenzer-Spannung
at / bei VWM
IT = 1 mA
VBR min [V]
4.0
at / bei IPP (8/20 µs)
Cj [pF]
typ. 500
typ.300
typ. 350
typ. 210
typ. 250
typ. 150
typ. 150
typ. 90
typ. 100
typ. 60
typ. 88
typ. 63
typ. 80
typ. 60
VWM [V]
3.3
3.3
5.0
5.0
8.0
8.0
12
ID [µA]
VC [V]
10.9
10.9
13.5
13.5
16.9
16.9
25.9
25.9
30.0
30.0
49.0
49.0
76.8
76.8
IPP [A]
43
43
42
42
34
34
21
21
17
17
12
12
9
PSOT03
PSOT03C
PSOT05
PSOT05C
PSOT08
PSOT08C
PSOT12
PSOT12C
PSOT15
PSOT15C
PSOT24
PSOT24C
PSOT36
PSOT36C
03
03C
05
125
125
20
20
10
10
2
4.0
6.0
05C
08
6.0
8.5
08C
12
8.5
13.3
13.3
16.7
16.7
26.7
26.7
40.0
40.0
12C
15
12
2
15
1
15C
24
15
1
24
1
24C
36
24
1
36
1
36C
36
1
9
120
[%]
tr = 8 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
IPP
40
IPP
20
PPP
20
PPP
tP
t
0
0
0
0
20
40
60 [µs]
TA
100
150
[°C]
50
Peak pulse power/current vs. ambient temperature1)
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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