RA358 [DIOTEC]
Silicon-Rectifiers - Button Diodes; 硅整流器 - 巴顿二极管
| 型号： | RA358 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Rectifiers - Button Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：159K) |
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RA3505 ... RA358
RA3505 ... RA358
Silicon-Rectifiers – Button Diodes
Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen
Version 2008-10-30
Nominal current
Nennstrom
35 A
50 ... 800 V
Button
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
Colored ring denotes “cathode”
Kennzeichnung:
Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode”
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
RA3505
RA351
RA352
RA354
RA356
RA358
50
100
200
400
600
800
50
100
200
400
600
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 110°C
TA = 25°C
IFAV
IFSM
i2t
35 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
450/500 A
1000 A2s
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
RA3505 ... RA358
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 80 A
VR = VRRM
VF
< 1.1 V
Leakage current
Sperrstrom
IR
IR
< 5 µA
< 250 µA
Tj = 100°C VR = VRRM
Thermal resistance junction to case (terminal)
RthC
< 1.0 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
103
120
[%]
[A]
102
Tj = 125°C
100
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
500a-(80a-1,1v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TC
100
150
200
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
103
[A]
102
îF
10
1
10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
102
[n]
103
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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