RAL1B [DIOTEC]
Fast Switching Surface Mount Controlled Avalanche Rectifiers; 快速开关表面贴装控制雪崩整流器
| 型号： | RAL1B |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Fast Switching Surface Mount Controlled Avalanche Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：105K) |
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RAL1A ... RAL1M
RAL1A ... RAL1M
Fast Switching Surface Mount Controlled Avalanche Rectifiers
Schnelle SMD-Gleichrichter mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten
Version 2010-01-14
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
0.04 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
1. red ring denotes “cathode” and “fast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. roter Ring kennzeichnet “Kathode” und “schnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings
Grenzwerte
2. Cathode ring
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage Reverse avalanche breakdown voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Sperrspannung im Durchbruch
VRSM [V] 1)
2. Kathodenring
RAL1A
RAL1B
RAL1D
RAL1G
RAL1J
RAL1K
RAL1M
50
100
200
400
600
800
1000
> 75
> 150
> 250
> 450
> 650
> 850
> 1100
grey / grau
red / rot
orange / orange
yellow / gelb
green / grün
blue / blau
violet / violett
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFSM
i2t
1 A 2)
22/25 A
2.5 A2s
20 mJ
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung
IRSM = 1 mA
TA = 25°C
ERSM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1
2
IRSM = 1 mA, TA = 25°C
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
RAL1A ... RAL1M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
VR = VRRM
IR
IR
< 3 µA
< 50 µA
Tj = 125°C VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über RAL1A...G
IR = 1 A to IR = 0.25 A RAL1J
RAL1K...M
trr
trr
trr
< 150 ns
< 250 ns
< 500 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 75 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 40 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
10
120
[%]
[A]
1
Tj = 125°C
100
80
Tj = 25°C
10-1
60
40
10-2
IF
20
IFAV
0
10a-(0.5a-1.2v)
10-3
0.4
1.0
0.8
1.2 1.4
1.8
[V]
VF
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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