SB1240-3G_18 [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifier Diodes;
| 型号： | SB1240-3G_18 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Schottky Barrier Rectifier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：152K) |
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SB1240-3G
SB1240-3G
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
IFAV = 12 A
VF@5A < 0.45 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 40 V
IFSM = 280/320 A
VF125 ~ 0.30 V @ 5 A
Version 2018-09-28
Typical Applications
Solar Bypass Diodes, Polarity
Protection, Free-wheeling diodes,
Output Rectification
Typische Anwendungen
Solar-Bypassdioden,
Verpolschutz, Freilaufdioden,
Ausgangsgleichrichtung
Standardausführung 1)
~ DO-201
Commercial grade 1)
Features
Besonderheiten
Niedrigerer Sperrstrom und
kleineres Gehäuse als SB1240
Optimaler Kompromiss
Ø 4.5+0.1
-0.3
Lower reverse leakage and
smaller package than SB1240
Best trade-off
2
2
between VF and IR )
zwischen VF und IR )
Halogen
FREE
Small package outline
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Kleine Gehäusebauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
S
E
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Ø 1.2±0.05
Taped in ammo pack
1250
Gegurtet in Ammo-Pack
On request: on 13” reel
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
Weight approx.
1 g
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 3)
Grenzwerte 3)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SB1240-3G
40
40
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
TA = 50°C
IFAV
IFSM
Tj
12 A 4)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
50 Hz (10 ms)
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms)
280 A
320 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
-50...+150°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
≤ 200°C 2,5
)
Storage temperature
Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
5
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SB1240-3G
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] @ IF [A] @ Tj
VF [V] @ IF [A] @ Tj
VF [V] @ IF [A] @ Tj
SB1240-3G
typ. 0.30
5
125°C
< 0.45
5
25°C
< 0.55
12
25°C
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
< 200 µA
typ. 6 mA
VR = VRRM
VR = 4 V
IR
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
Cj
510 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
RthA
< 14 K/W 1)
Typical thermal resistance junction to lead (at the case)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse)
RthL
< 4 K/W 2)
102
[A]
120
[%]
100
10
80
60
1
40
10-1
IF
20
IFAV
0
Tj
=
25°C
Tj = 125°C
10-2
0
0.4
0.6
1.0
V
[V]
0
TA 50
100
150
[°C]
F
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
Tj = 150°C
[mA]
101
Tj = 125°C
Tj = 100°C
1
Tj = 75°C
Tj = 50°C
10-1
IR
Tj = 25°C
10-2
VRRM
[%]
100
0
40
60
80
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
SB1240-AP
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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SB1240-BP
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