SB150 [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifiers; 肖特基势垒整流器器
| 型号： | SB150 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Schottky Barrier Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：165K) |
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SB 120 … SB 1100
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20…100 V
Plastic case
DO-15
Kunststoffgehäuse
DO-204AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlaßspannung
VF [V] 1)
SB 120
SB 130
SB 140
SB 150
SB 160
SB 190
SB 1100
20
30
20
30
< 0.50
< 0.50
< 0.50
< 0.70
< 0.70
< 0.79
< 0.79
40
40
50
50
60
60
90
90
100
100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
1 A 2)
10 A 2)
40 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
IFSM
i2t
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
8 A2s
1
)
)
IF = 1 A, Tj = 25ꢀC
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
174
28.02.2002
SB 120 … SB 1100
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 100ꢀC
VR = VRRM
IR
IR
< 0.5 mA
< 5 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthL
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
< 15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
175
相关型号：
SB150-E3
DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode
VISHAY
SB150-E3/73
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
VISHAY
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