SB530 [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifiers; 肖特基势垒整流器器
| 型号： | SB530 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Schottky Barrier Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：175K) |
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SB 520 … SB 5100
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
5 A
Ø 4.5±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20…100 V
~ DO-201
1 g
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlaßspannung
VF [V] 1)
SB 520
SB 530
SB 540
SB 550
SB 560
SB 590
SB 5100
20
30
20
30
< 0.55
< 0.55
< 0.55
< 0.67
< 0.67
< 0.79
< 0.79
40
40
50
50
60
60
90
90
100
100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
5 A 2)
20 A 1)
250 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
310 A2s
1
)
)
IF = 5 A, Tj = 25ꢀC
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
184
28.02.2002
SB 520 … SB 5100
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
VR = VRRM
SB 520…560
SB 590…5100 IR
IR
< 0.50 mA
< 0.60 mA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead
RthL
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
185
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DIODE 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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