SBT2640 [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifiers â Single Diode; 肖特基势垒整流器â ????单二极管
| 型号： | SBT2640 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Schottky Barrier Rectifiers â Single Diode |
| 文件： | 总2页 (文件大小：115K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
SBT2620 ... SBT2640
SBT2620 ... SBT2640
Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode
Version 2009-09-21
10±0.2
Nominal current
Nennstrom
26 A
4
2
3.8
4
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...40 V
Type
Typ
Plastic case – Kunststoffgehäuse
TO-220AC
1.8 g
1 2 3
Weight approx.
Gewicht ca.
1
3
1.5
0.9
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
5.08
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A
< 0.50
< 0.50
< 0.50
IF = 26 A
< 0.59
< 0.59
< 0.59
SBT2620
SBT2630
SBT2640
20
30
40
20
30
40
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
f > 15 Hz
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
26 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
60 A 2)
290/330 A
420 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBT1820... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1840
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
1
2
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBT2620 ... SBT2640
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 500 µA
typ. 30 mA
Thermal resistance junction to case
RthC
< 1.5 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
102
120
[%]
[A]
10
SBT2620 … SBT2640
100
80
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
10-2
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
0
TC
100
150
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明