SMZ27R7 [DIOTEC]
Zener Diode,;
| 型号： | SMZ27R7 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Zener Diode, |
| 文件： | 总3页 (文件大小：149K) |
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SMZ1 ... SMZ200 (2 W)
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2 W
1...200 V
DO-213AB
0.12 g
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
SMZ-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C
TA = 25°C
Ptot
2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
PZSM
60 W
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
<45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
<15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
23
1
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
2
3
The SMZ1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die SMZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
"F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffiz.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Vzmin [V]
0.71
5.2
Vzmax [V]
0.82
6.0
IZtest [mA]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
rzj [Ω]
0.5 (<1)
1 (<3)
αVZ [10-4 /°C]
–26…–16
–3…+5
VR [V]
–
IZmax [mA]
1200
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
SMZ13)
SMZ5.6
SMZ6.2
SMZ6.8
SMZ7.5
SMZ8.2
SMZ9.1
SMZ10
SMZ11
SMZ12
SMZ13
SMZ15
SMZ16
SMZ18
SMZ20
SMZ22
SMZ24
SMZ27
SMZ30
SMZ33
SMZ36
SMZ39
SMZ43
SMZ47
SMZ51
SMZ56
SMZ62
SMZ68
SMZ75
SMZ82
SMZ91
SMZ100
SMZ110
SMZ120
SMZ130
SMZ150
SMZ160
SMZ180
SMZ200
> 0.5 / 3 µA
> 1.5
> 2
5.8
6.6
1 (<2)
–1…+6
6.4
7.2
1 (<2)
0…+7
7.0
7.9
1 (<2)
0…+7
> 2
7.7
8.7
1 (<2)
+3…+8
> 3.5
> 3.5
> 5
8.5
9.6
2 (<4)
+3…+8
9.4
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
2 (<4)
+5…+9
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
4 (<7)
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
> 5
4 (<7)
> 7
5 (<10)
> 7
5 (<10)
> 10
> 10
> 10
> 10
> 12
> 12
> 14
> 14
> 17
> 17
> 20
> 20
> 24
> 24
> 28
> 28
> 34
> 34
> 41
> 41
> 50
> 50
> 60
> 60
> 75
> 75
> 90
> 90
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
86
7 (<15)
78
7 (<15)
69
8 (<15)
63
31
35
8 (<15)
57
34
38
16 (<40)
20 (<40)
24 (<45)
24 (<45)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<200)
60 (<200)
80 (<250)
80 (<250)
90 (<300)
100 (<300)
110 (<350)
120 (<350)
150 (<350)
53
37
41
49
40
46
43
44
50
40
48
54
37
52
60
33
58
66
30
64
72
28
70
79
25
77
88
23
85
96
21
94
106
116
127
141
156
171
191
212
5
19
104
114
124
138
153
168
188
5
17
5
16
5
14
5
13
5
12
5
10
5
9
1
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)
150
120
[%]
Tj = 25°C
1
IZmax
5,6
8,2
6,8
[mA]
9,1
6,2
7,5
100
IZT
100
80
50
IZ
60
40
IZ = 5 mA
0
0
VZ
2
3
4
5
6
7
8
10
[V]
20
Ptot
0
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
102
[A]
10
Tj = 125°C
10
18
24
30
36
43
51 56
68
75
91
100
62
82
Tj = 25°C
IZmax
1
IZT
Tj = 25°C
10-1
IF
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
30a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
VR = 0V
VR = 4V
VR = 20V
VR = 40V
Cj
[V]
VZ
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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