UF5407 [DIOTEC]
Ultrafast Switching Si-Rectifiers; 超快开关思整流器型号: | UF5407 |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Ultrafast Switching Si-Rectifiers |
文件: | 总2页 (文件大小:155K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
UF 5400 ... UF 5408
Ultrafast Switching Si-Rectifiers
Ultraschnelle Si-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
3 A
50…1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
1 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
UF 5400
UF 5401
UF 5402
UF 5403
UF 5404
UF 5405
UF 5406
UF 5407
UF 5408
50
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
100
200
300
400
500
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
IFAV
3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 3)
Peak forward surge current, half sine-wave, TA = 25ꢀC
Stoßstrom für eine Sinus-Halbwelle, TA = 25ꢀC
f = 50 Hz
f = 60 Hz
IFSM
IFSM
100 A
120 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25ꢀC
i2t
50 A2s
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
150
28.02.2002
UF 5400...UF 5408
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlaßspannung
VF [V] at / bei IF [A]
UF 5400 ... UF 5404
UF 5405 ... UF 5408
< 50
< 75
< 1.0
< 1.7
3
3
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 125ꢀC
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 10 ꢀA
< 50 ꢀA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthL
< 25 K/W 2)
Thermal resistance junction to lead
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
1
)
)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
2
151
相关型号:
UF5407-E3
DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
UF5407-E3/73
DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
VISHAY
UF5407-GT3
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2
SENSITRON
UF5407-T3
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
SENSITRON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明