US1J [DIOTEC]
Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers; 超快开关表面贴装硅整流器
| 型号： | US1J |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：164K) |
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US 1A … US 1M
Ultrafast Switching
Surface Mount Si-Rectifiers
Ultraschnelle Si-Gleichrichter
für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…1000 V
Plastic case
~ SMA
Kunststoffgehäuse
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
see page 18
siehe Seite 18
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
US 1A
US 1B
US 1D
US 1G
US 1J
50
100
200
400
600
800
1000
50
100
200
400
600
800
1000
US 1K
US 1M
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
6 A 1)
30 A
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
4,5 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
– 50...+150ꢀC
– 50...+150ꢀC
1
)
Max. temperature of the terminals TT = 100ꢀC – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100ꢀC
140
28.02.2002
US 1A ... US 1M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
VF [V] at / bei IF [A]
US 1A ... US 1G
US 1J ... US 1M
< 50
< 75
< 1.0
< 1.7
1
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 100ꢀC
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 10 ꢀA
< 100 ꢀA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthT
< 70 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
< 30 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluß
1
)
)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
141
28.02.2002
相关型号：
US1J-HE3
DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal Diode
VISHAY
US1J-HE3/61T
1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
VISHAY
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