US1K [DIOTEC]

Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes; 超快开关表面贴装硅二极管


型号：	US1K
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes 超快开关表面贴装硅二极管整流二极管开关光电二极管
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US1A ... US1M

Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes

Ultraschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2006-04-18

Nominal current – Nennstrom

1 A

5^{± 0.2}

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50...1000 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

~ SMA

~ DO-214AC

0.15

Weight approx. – Gewicht ca.

0.07 g

Type

Typ

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

4.6^{± 0.2}

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

_RRM[V]

US1A

US1B

US1D

US1G

US1J

US1K

US1M

100

200

400

600

800

1000

100

200

400

600

800

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_T= 100°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

1 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

i²t

6 A ¹)

30 A

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

4.5 A²s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

T_j

T_S

Max. temperature of the terminals T_T= 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse T_T= 100°C

http://www.diotec.com/

US1A ... US1M

Characteristics

Kennwerte

Type

Typ

Reverse recovery time

Sperrverzugszeit

t_rr[ns] ¹)

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V]

at / bei

I_F[A]

US1A...US1D

US1G

< 50

< 75

< 1.0

< 1.25

< 1.7

US1J...US1M

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C V_R= V_RRM

T_j= 100°C V_R= V_RRM

I_R

< 10 µA

< 100 µA

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 70 K/W ²)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 30 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

120

[%]

[A]

100

US1A...D

US1G

US1J...M

0.1

10^-2

I_F

I_FAV

T_j= 25°C

10^-3

V_F

[V]

T_T

100

150

[°C]

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

Rated forward current vs. temp. of the terminals

Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals

I_F= 0.5 A through/über I_R= 1 A to/auf I_R= 0.25 A

Mounted on P.C. board with 25 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 25 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

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