ZMY3.6GR7 [DIOTEC]
Zener Diode,;
| 型号： | ZMY3.6GR7 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Zener Diode, |
| 文件： | 总3页 (文件大小：169K) |
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ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
ZMY...G planar
ZMY... non-planar
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V
Glass case – Glasgehäuse MELF
DO-213AB
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
DO-213AB
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
1.0 W 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+175°C
-50...+175°C
TJ
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 150 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 70 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50°C
TA = 25°C
Ptot
1.3 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
PZSM
40 W
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+175°C
TJ
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 10 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
23
1
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
2
3
The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
ZMY1 3)
ZMY3.0G
ZMY3.3G
ZMY3.6G
ZMY3.9G
ZMY4.3G
ZMY4.7G
ZMY5.1G
ZMY5.6G
ZMY6.2G
ZMY6.8G
ZMY7.5G
ZMY8.2G
ZMY9.1G
ZMY10
0.71
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
0.82
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
0.5 (<1)
5 (<8)
–26…–16
–8…+1
–
–
1000
313
286
263
244
217
200
185
167
152
139
127
115
104
123
112
102
92
5 (<8)
–8…+1
> 0.7 / 150 µA
> 0.7 / 100 µA
> 0.7 / 100 µA
> 0.7 / 50 µA
> 0.7 / 10 µA
> 0.7 / 10 µA
> 0.5 / 3 µA
> 1.5 / 500 nA
> 2 / 500 nA
> 3 / 500 nA
> 6 / 500 nA
> 7 / 500 nA
> 5
5 (<8)
–8…+1
4 (<7)
–7…+2
4 (<7)
–7…+3
4 (<7)
–7…+4
2 (<5)
–6…+5
1 (<2)
–3…+5
1 (<2)
–1…+6
1 (<2)
0…+7
1 (<2)
0…+7
1 (<2)
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
2 (<4)
2 (<4)
ZMY11
4 (<7)
> 5
ZMY12
4 (<7)
> 7
ZMY13
5 (<10)
5 (<10)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
7 (<15)
7 (<15)
8 (<15)
8 (<15)
16 (<40)
20 (<40)
24 (<45)
24 (<45)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<200)
60 (<200)
80 (<250)
80 (<250)
90 (<300)
100 (<300)
110 (<350)
120 (<350)
150 (<350)
> 7
ZMY15
> 10
83
ZMY16
> 10
76
ZMY18
> 10
68
ZMY20
> 10
61
ZMY22
> 12
56
ZMY24
> 12
51
ZMY27
> 14
45
ZMY30
> 14
41
ZMY33
31
35
> 17
37
ZMY36
34
38
> 17
34
ZMY39
37
41
> 20
32
ZMY43
40
46
> 20
28
ZMY47
44
50
> 24
26
ZMY51
48
54
> 24
24
ZMY56
52
60
> 28
22
ZMY62
58
66
> 28
20
ZMY68
64
72
> 34
18
ZMY75
70
79
> 34
16
ZMY82
77
88
> 41
15
ZMY91
85
96
> 41
14
ZMY100
ZMY110
ZMY120
ZMY130
ZMY150
ZMY160
ZMY180
ZMY200
94
106
116
127
141
156
171
191
212
5
> 50
12
104
114
124
138
153
168
188
5
> 50
11
5
> 60
10
5
> 60
9
5
> 75
8
5
> 75
8
5
> 90
7
5
> 90
6
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
120
[%]
150
[mA]
ZMY10...200
5,1
4,7
100
5,6
8,2
6,8
6,2
7,5
9,1
IZ = 100 mA
100
80
60
40
4,3
3,9
ZMY3.0G...9.1G
3,6
3,3
3,0
50
IZ
IZ = 50 mA
20
Ptot
0
0
0
VZ
2
3
4
5
6
7
8
[V]
10
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
102
[A]
10
Tj = 125°C
10
18
24
30
36
43
51 56
68
75
91
100
62
82
Tj = 25°C
1
IZmax
10-1
IF
Tj = 25°C
IZT
30a-(1a-1.1v)
10-2
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
VR = 0V
[pF]
ZMY3.0G...9.1G
ZMY10...200
Cj
[V]
VZ
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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