ZY1 [DIOTEC]
Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology); 硅电源稳压二极管（非平面技术）
| 型号： | ZY1 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) |
| 文件： | 总3页 (文件大小：150K) |
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ZY1 ... ZY200 (2 W)
Version 2011-10-17
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2 W
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
1...200 V
Ø 2.6-0.1
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Marking:
“Z“ plus Zenervoltage
Stempelung: „Z“ plus Zenerspannung
Ø 0.77±0.07
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pak
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZY-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C
TA = 25°C
Ptot
2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
PZSM
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthL
< 15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
23
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
2
3
Die ZY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzen. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Maximum ratings and Characteristics
(TA = 25°C unless otherwise specified)
Grenz- und Kennwerte
(TA = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Type
Typ
Zener voltage 2)
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V]
0.71
5.2
Vzmax [V]
0.82
6.0
IZtest [mA]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
rzj [Ω]
0.5 (<1)
1 (<3)
αVZ [10-4 /°C]
–26…–16
–3…+5
VR [V]
–
IZmax [mA]
1500
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
ZY13)
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
> 0.5 / 3 µA
> 1.5
> 2
5.8
6.6
1 (<2)
–1…+6
6.4
7.2
1 (<2)
0…+7
7.0
7.9
1 (<2)
0…+7
> 2
7.7
8.7
1 (<2)
+3…+8
> 3.5
> 3.5
> 5
8.5
9.6
2 (<4)
+3…+8
9.4
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
2 (<4)
+5…+9
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
4 (<7)
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
> 5
4 (<7)
> 7
5 (<10)
> 7
5 (<10)
> 10
> 10
> 10
> 10
> 12
> 12
> 14
> 14
> 17
> 17
> 20
> 20
> 24
> 24
> 28
> 28
> 34
> 34
> 41
> 41
> 50
> 50
> 60
> 60
> 75
> 75
> 90
> 90
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
86
7 (<15)
78
7 (<15)
69
8 (<15)
63
31
35
8 (<15)
57
34
38
16 (<40)
20 (<40)
24 (<45)
24 (<45)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<200)
60 (<200)
80 (<250)
80 (<250)
90 (<300)
100 (<300)
110 (<350)
120 (<350)
150 (<350)
53
37
41
49
40
46
43
44
50
40
48
54
37
52
60
33
58
66
30
64
72
28
70
79
25
77
88
23
85
96
21
94
106
116
127
141
156
171
191
212
5
19
104
114
124
138
153
168
188
5
17
5
16
5
14
5
13
5
12
5
10
5
9
1
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
ZY1 ... ZY200 (2 W)
102
120
[%]
[A]
10
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
IF
20
Ptot
0
30a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
150
Tj = 25°C
[pF]
1
IZmax
5,6
8,2
6,8
VR = 0V
VR = 4V
[mA]
9,1
6,2
7,5
IZT
100
50
IZ
VR = 20V
VR = 40V
IZ = 5 mA
C
j
0
0
VZ
2
3
4
5
6
7
8
10
[V]
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
[V]
VZ
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
50
[K/W]
50
10
18
24
30
36
43
51 56
62
68
75
82
91
100
40
30
20
IZmax
IZT
Tj = 25°C
L
10
RthL
0
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
0
L
8
12
Typ. thermal resistance vs lead length
Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge
4
[mm]
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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