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MOR1S2K082JT40  MOR1S2J082JA20  MOR1S2K082JT10  MOR1S2J082JT40  MOR1S2J082JT20  MOR1S2J082JT10  MOR1S2K082JB40  DSS-333  MOR1S2K082JTA0  MOR1S2K082JA10  
ZMM12B 表面贴装硅平面稳压二极管 (Surface mount Silicon Planar Zener Diodes)
.型号:   ZMM12B
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描述: 表面贴装硅平面稳压二极管
Surface mount Silicon Planar Zener Diodes
文件大小 :   80 K    
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品牌   DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
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100%
ZMM3B9 ... ZMM75B ( 500毫瓦 - 2 % )
ZMM3B9 ... ZMM75B ( 500毫瓦 - 2 % )
表面贴装硅平面稳压二极管
Silizium -平面齐纳Dioden献给死去Oberflächenmontage
版本2007-07-06
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
3.5
500毫瓦
3.9...75 V
SOD-80
(DO-213AA)
0.04 g
0.3
玻璃柜MiniMELF
Glasgehäuse MiniMELF
重量约。
Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24标准( 〜 ± 5 % ) 。
该设备ZMM3B9 ... ZMM75B专门挑选〜 ± 2 %的误差。
其它电压容差和齐纳电压的要求。
模具标准- Toleranz DER Z- Spannung IST gestuft NACH DER internationalen Reihe街E 24 ( 〜 ± 5 % ) 。
死Reihe街上ZMM3B9 ... ZMM75B北京时间EINE Sonderselektion MIT 〜 ± 2 % Toleranz 。
企业的其它Toleranzen奥德齐纳Spannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25°C
TYPE
典型值
±0.1
0.3
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
R
THA
500毫瓦
)
-50...+175°C
-50...+175°C
& LT ; 300 K / W
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nächsten页首
1
2
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
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